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2SK3943
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10
9
8
7
I D = 41 A
Pulsed
100000
10000
6
5
4
3
2
V GS = 5.5 V
10 V
1000
V GS = 0 V
C iss
C oss
1
0
100
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 20 V
35
I D = 82 A
14
100
10
1
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
t d(off)
t d(on)
t f
t r
30
25
20
15
10
5
0
V DD = 32 V
20 V
8V
V DS
V GS
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current - A
Q G - Gate Charge - nC
SOURCE TO DRAIN DIODE
<R>
SOURCE TO DRAIN DIODE
1000
FORWARD VOLTAGE
1000
FORWARD VOLTAGE
T ch = ? 55°C
100
100
25°C
75°C
10
V GS = 10 V
0V
10
125°C
150°C
1
1
0.1
0.1
V GS = 0 V
0.01
Pulsed
0.01
Pulsed
0
0.5
1
1.5
0
0.5
1
1.5
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17188EJ2V0DS
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
5
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